Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 39.6 A 30 V Udtømning, 8 Ben, PowerPAK SO-8DC AEC-Q101 SIDR610EP-T1-RE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 64,70

(ekskl. moms)

Kr. 80,88

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 6.000 enhed(er) afsendes fra 02. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 32,35Kr. 64,70
20 - 48Kr. 30,445Kr. 60,89
50 - 98Kr. 27,565Kr. 55,13
100 - 198Kr. 25,88Kr. 51,76
200 +Kr. 24,275Kr. 48,55

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
252-0262
Producentens varenummer:
SIDR610EP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

39.6A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

PowerPAK SO-8DC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.0042mΩ

Kanalform

Udtømning

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

46.1nC

Effektafsættelse maks. Pd

150W

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

6.15mm

Bredde

5.15 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Vishay Siliconix MOSFET-produktserien indeholder en bred vifte af avancerede teknologier. MOSFET'er er transistor-enheder, der styres af en kondensator. Feldeffekten betyder, at de styres af spænding. N-kanals MOSFET'er indeholder yderligere elektroner, som frit kan bevæge sig rundt. De er en mere populær kanaltype. N-kanals MOSFET'er fungerer, når en positiv ladning påføres gateterminalen.

TrenchFET Gen V effekt MOSFET meget lav RDS - Qg fortjenstværdi (FOM) indstillet til den laveste RDS - Qoss FOM 100 % Rg og UIS testet

Relaterede links