Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 148 A 30 V Udtømning, 8 Ben, PowerPAK SO-8DC AEC-Q101 SIDR510EP-T1-RE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 46,97

(ekskl. moms)

Kr. 58,712

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 6.022 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 23,485Kr. 46,97
20 - 98Kr. 22,065Kr. 44,13
100 - 198Kr. 19,97Kr. 39,94
200 - 498Kr. 18,81Kr. 37,62
500 +Kr. 17,655Kr. 35,31

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
252-0254
Producentens varenummer:
SIDR510EP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

148A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

PowerPAK SO-8DC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.0042mΩ

Kanalform

Udtømning

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

46.1nC

Effektafsættelse maks. Pd

150W

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

5.15 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.15mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Vishay Siliconix MOSFET-produktserien indeholder en bred vifte af avancerede teknologier. MOSFET'er er transistor-enheder, der styres af en kondensator. Feldeffekten betyder, at de styres af spænding. N-kanals MOSFET'er indeholder yderligere elektroner, som frit kan bevæge sig rundt. De er en mere populær kanaltype. N-kanals MOSFET'er fungerer, når en positiv ladning påføres gateterminalen.

TrenchFET Gen V effekt MOSFET meget lav RDS - Qg fortjenstværdi (FOM) indstillet til den laveste RDS - Qoss FOM 100 % Rg og UIS testet

Relaterede links