Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 227 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK SO-8DC, SIDR

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
268-8284
Producentens varenummer:
SIDR626EP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

227A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

SIDR

Emballagetype

PowerPAK SO-8DC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.00174Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

±20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

150W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

102nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

5.15mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
TW
Vishay N-kanal TrenchFET generation 4 effekt MOSFET med kølefunktion på toppen giver ekstra plads til termisk overførsel. Den bruges i anvendelser som f.eks. synkron ensretning, motordrevskontakt, batteri- og belastningskontakt.

Afstemmet til den laveste værdi

I overensstemmelse med ROHS

UIS-testet 100 procent

Relaterede links