Infineon Type N-Kanal, Effekttransistor, 52 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT Nej
- RS-varenummer:
- 273-2798
- Producentens varenummer:
- IPT60R045CFD7XTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 51,93
(ekskl. moms)
Kr. 64,91
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 92 enhed(er) afsendes fra 08. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 49 | Kr. 51,93 |
| 50 - 99 | Kr. 47,27 |
| 100 - 249 | Kr. 43,23 |
| 250 - 999 | Kr. 40,02 |
| 1000 + | Kr. 37,03 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-2798
- Producentens varenummer:
- IPT60R045CFD7XTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekttransistor | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 52A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | PG-HSOF-8 | |
| Serie | IPT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 45mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 79nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 272W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, JEDEC for Industrial Applications | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekttransistor | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 52A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype PG-HSOF-8 | ||
Serie IPT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 45mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 79nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 272W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, JEDEC for Industrial Applications | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET er en 600V CoolMOS CFD7 strømtransistor. CoolMOS er en revolutionerende teknologi til højspændings-effekt-MOSFET'er, der er designet i overensstemmelse med super junction-princippet og pionerudviklet af Infineon Technologies. Den nyeste CoolMOS CFD7 er efterfølgeren til CoolMOS CFD2 serien og er en optimeret platform, der er skræddersyet til at målrette soft switching-anvendelser som f.eks. faseskift fuld bro og LLC. Som følge af reduceret gate-opladning, bedste i klassen omvendt genoprettelsesopladning og forbedret slukningsadfærd giver CoolMOSCFD7 den højeste effektivitet i resonante topologier.
I overensstemmelse med RoHS
Lav gate-opladning
Ultrahurtig husdiode
Løsninger med øget effekttæthed
Fremragende robusthed ved hård omskiftning
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 52 A 650 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT Nej IPT60R045CFD7XTMA1
- Infineon Type N-Kanal 70 A 600 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT Nej IPT60R037CM8XTMA1
- Infineon Type N-Kanal 297 A 135 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT Nej IPT020N13NM6ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 137 A 200 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT Nej IPT067N20NM6ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 8 A 600 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT Nej IPT60T065S7XTMA1
- Infineon Type N-Kanal 212 A 135 V Forbedring PG-HSOG-8, IPT Nej IPTG029N13NM6ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 331 A 120 V Forbedring PG-HSOG-8, IPT Nej IPTG017N12NM6ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 297 A 135 V Forbedring PG-HSOG-8, IPT Nej IPTG020N13NM6ATMA1