Infineon Type N-Kanal, Effekttransistor, 399 A 60 V Forbedring, 5 Ben, sTOLL, IST
- RS-varenummer:
- 273-2820
- Producentens varenummer:
- IST011N06NM5AUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 32,39
(ekskl. moms)
Kr. 40,49
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 93 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 49 | Kr. 32,39 |
| 50 - 99 | Kr. 29,55 |
| 100 - 249 | Kr. 26,93 |
| 250 - 999 | Kr. 24,98 |
| 1000 + | Kr. 23,26 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-2820
- Producentens varenummer:
- IST011N06NM5AUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | Effekttransistor | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 399A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | sTOLL | |
| Serie | IST | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 313W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 110nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype Effekttransistor | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 399A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype sTOLL | ||
Serie IST | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 313W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 110nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET er en N-kanal MOSFET og er optimeret til anvendelser med lavspændingsmotordrev og til batteridrevne anvendelser. Denne MOSFET er kvalificeret i overensstemmelse med JEDEC til industrielle anvendelser.
I overensstemmelse med RoHS
Blyfri blybelægning
100 procent lavintestet
Giver mulighed for automatisk optisk loddeinspektion
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 399 A 60 V Forbedring sTOLL, IST
- Infineon Type N-Kanal 248 A 100 V Forbedring sTOLL, ISA
- Infineon Type N-Kanal 440 A 40 V Forbedring HSOF, IST
- Infineon Type N-Kanal 475 A 40 V Forbedring HSOF, IST
- Infineon 2 Type N-Kanal Dual N 20 A 40 V Forbedring SuperSO, IPG AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 80 A 60 V Forbedring TO-263, OptiMOS -T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 52 A 650 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Type N-Kanal 50 A 30 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3