Infineon Type N-Kanal, Effekttransistor, 399 A 60 V Forbedring, 5 Ben, sTOLL, IST Nej IST011N06NM5AUMA1
- RS-varenummer:
- 273-2819
- Producentens varenummer:
- IST011N06NM5AUMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*
Kr. 31.514,00
(ekskl. moms)
Kr. 39.392,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 22. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2000 + | Kr. 15,757 | Kr. 31.514,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-2819
- Producentens varenummer:
- IST011N06NM5AUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekttransistor | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 399A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | sTOLL | |
| Serie | IST | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 313W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 110nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekttransistor | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 399A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype sTOLL | ||
Serie IST | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 313W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 110nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET er en N-kanal MOSFET og er optimeret til anvendelser med lavspændingsmotordrev og til batteridrevne anvendelser. Denne MOSFET er kvalificeret i overensstemmelse med JEDEC til industrielle anvendelser.
I overensstemmelse med RoHS
Blyfri blybelægning
100 procent lavintestet
Giver mulighed for automatisk optisk loddeinspektion
Relaterede links
- Infineon, MOSFET IST011N06NM5AUMA1
- Infineon N-Kanal 248 A 100 V sTOLL IST026N10NM5AUMA1
- Infineon N-Kanal 60 A 60 V HEXFET IRF60B217
- Infineon N-Kanal 104 A 60 V, TSDSON BSZ037N06LS5ATMA1
- Infineon N-Kanal 85 A 60 V HEXFET IRFH7545TRPBF
- Infineon N-Kanal 120 A 60 V, PG-TDSON IAUC120N06S5N017ATMA1
- Infineon N-Kanal 136 A 60 V, PG-TDSON IPI029N06NAKSA1
- Infineon N-Kanal 67 A 60 V HEXFET IRF6674TRPBF
