Infineon Type P-Kanal, MOSFET, -18.7 A 60 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO252-3, SPP18P06P-H AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 273-7553
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-41-690
- Producentens varenummer:
- SPP18P06PHXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 49,89
(ekskl. moms)
Kr. 62,36
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 410 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | Kr. 9,978 | Kr. 49,89 |
| 10 - 20 | Kr. 8,812 | Kr. 44,06 |
| 25 - 95 | Kr. 8,646 | Kr. 43,23 |
| 100 - 245 | Kr. 7,062 | Kr. 35,31 |
| 250 + | Kr. 6,986 | Kr. 34,93 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-7553
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-41-690
- Producentens varenummer:
- SPP18P06PHXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -18.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | SPP18P06P-H | |
| Emballagetype | PG-TO252-3 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.13Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.33V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 28nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81.1W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 1.5mm | |
| Længde | 40mm | |
| Standarder/godkendelser | Qualified according to AEC Q101, Halogen Free according to IEC61249-2-21, RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -18.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie SPP18P06P-H | ||
Emballagetype PG-TO252-3 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.13Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.33V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 28nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81.1W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 1.5mm | ||
Længde 40mm | ||
Standarder/godkendelser Qualified according to AEC Q101, Halogen Free according to IEC61249-2-21, RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon MOSFET er en P-kanal lille signal MOSFET. Disse produkter opfylder konsekvent de højeste kvalitets- og ydeevnekrav i nøglespecifikationer for strømforsyningssystemdesign som f.eks. på tilstandsmodstand og fortjenesteegenskaber. Den er halogenfri i overensstemmelse med IEC61249 2 21.
I overensstemmelse med RoHS
Avalanche-godkendt
Forbedringstilstand
Blyfri ledningsfinish
Kvalificeret iht. AEC Q101
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal -18.7 A 60 V Forbedring PG-TO252-3, SPP18P06P-H AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -4.2 A 100 V Forbedring PG-TO252-3, SPD04P10PL G AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -18.6 A 60 V Forbedring PG-TO252-3, SPD18P06P G AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 6.5 A 60 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Type P-Kanal 4.3 A 60 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Type P-Kanal -16.4 A 60 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Type P MOSFET 3 Ben ISA
- Infineon Type N-Kanal 6 A 950 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS