Infineon Type P-Kanal, MOSFET, -18.6 A 60 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO252-3, SPD18P06P G AEC-Q101

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
RS-varenummer:
273-2832
Producentens varenummer:
SPD18P06PGBTMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

-18.6A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

SPD18P06P G

Emballagetype

PG-TO252-3

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

22nC

Effektafsættelse maks. Pd

80W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20V

Gennemgangsspænding Vf

1.33V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

1.5mm

Længde

40mm

Bredde

40mm

Standarder/godkendelser

IEC 68-1, RoHS, AEC Q101

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon MOSFET er en P-kanal, forbedringstilstand MOSFET. Den har en driftstemperatur på 175 grader celsius. Denne MOSFET er kvalificeret i overensstemmelse med AEC Q101 standard.

I overensstemmelse med RoHS

Avalanche-godkendt

Blyfri blybelægning

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.