Infineon Type P-Kanal, MOSFET, -18.7 A 60 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO252-3, SPP18P06P-H AEC-Q101 SPP18P06PHXKSA1
- RS-varenummer:
- 273-7552
- Producentens varenummer:
- SPP18P06PHXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 298,10
(ekskl. moms)
Kr. 372,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 450 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 5,962 | Kr. 298,10 |
| 100 + | Kr. 4,769 | Kr. 238,45 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-7552
- Producentens varenummer:
- SPP18P06PHXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -18.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | SPP18P06P-H | |
| Emballagetype | PG-TO252-3 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.13Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.33V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 8 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81.1W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 28nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | Qualified according to AEC Q101, Halogen Free according to IEC61249-2-21, RoHS | |
| Højde | 1.5mm | |
| Længde | 40mm | |
| Bredde | 40 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -18.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie SPP18P06P-H | ||
Emballagetype PG-TO252-3 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.13Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.33V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 8 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81.1W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 28nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser Qualified according to AEC Q101, Halogen Free according to IEC61249-2-21, RoHS | ||
Højde 1.5mm | ||
Længde 40mm | ||
Bredde 40 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon MOSFET er en P-kanal lille signal MOSFET. Disse produkter opfylder konsekvent de højeste kvalitets- og ydeevnekrav i nøglespecifikationer for strømforsyningssystemdesign som f.eks. på tilstandsmodstand og fortjenesteegenskaber. Den er halogenfri i overensstemmelse med IEC61249 2 21.
I overensstemmelse med RoHS
Avalanche-godkendt
Forbedringstilstand
Blyfri ledningsfinish
Kvalificeret iht. AEC Q101
Relaterede links
- Infineon P-Kanal 18 3 ben, PG-TO252-3 SPP18P06PHXKSA1
- Infineon P-Kanal 4 3 ben, PG-TO252-3 SPD04P10PLGBTMA1
- Infineon N-Kanal 34 A, PG-TO252-3 IPD320N20N3GATMA1
- Infineon N-Kanal 13 A, PG-TO252-3 IPD78CN10NGATMA1
- Infineon N-Kanal 75 A, PG-TO252-3 IPD110N12N3GATMA1
- Infineon 4 PG-TO252 IPD60R950C6ATMA1
- Infineon N-Kanal 30 A, PG-TO252-3-11 IPD30N06S2L23ATMA3
- Infineon P-Kanal 4 A 100 V, PG-TO252-3 SPD04P10PGBTMA1
