STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 56 A Forbedring, 3 Ben, TO-247, STW

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 71,43

(ekskl. moms)

Kr. 89,29

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
På lager
  • 238 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 4Kr. 71,43
5 - 9Kr. 70,01
10 +Kr. 52,14

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
275-1384
Producentens varenummer:
STWA60N043DM9
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

56A

Serie

STW

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

43mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

±30 V

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Effektafsættelse maks. Pd

312W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

78.6nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics N-kanals effekt MOSFET er baseret på den mest innovative super junction MDmesh DM9-teknologi, der er velegnet til mellem- og højspændings MOSFET'er med meget lav RDS(on) pr. område sammen med en hurtig genopretningsdiode. Den siliciumbaserede DM9-teknologi nyder godt af en fremstillingsproces med flere afløb, som muliggør en forbedret enhedsstruktur.

Husdiode med hurtig genopretning

Verdens bedste RDS pr. område blandt siliciumbaserede hurtige genopretningsenheder

Lav gate-ladning, indgangskapacitet og modstand

100 procent lavintestet

Relaterede links

Recently viewed