STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 92 A Forbedring, 3 Ben, TO-247, STW

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 109,66

(ekskl. moms)

Kr. 137,08

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 285 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 4Kr. 109,66
5 - 9Kr. 106,81
10 +Kr. 104,20

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
275-1386
Producentens varenummer:
STWA65N023M9
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

92A

Emballagetype

TO-247

Serie

STW

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

23mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

±30 V

Effektafsættelse maks. Pd

463W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

230nC

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics N-kanals effekt MOSFET er baseret på den mest innovative super-junction MDmesh M9-teknologi, der er velegnet til mellem- og højspændings MOSFET'er med meget lav RDS(on) pr. område. Den siliciumbaserede M9-teknologi nyder godt af en fremstillingsproces med flere afløb, som muliggør en forbedret enhedsstruktur. Det resulterende produkt har en af de laveste modstand ved tænding og reducerede gate-ladningsværdier blandt alle silicium-baserede MOSFET'er med hurtig switching super junction-effekt, hvilket gør det særligt velegnet til anvendelser, der kræver fremragende effekttæthed og fremragende effektivitet.

Fremragende skifteydelse

Let at køre

100 procent lavintestet

Relaterede links