STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 92 A 92 A, 3 ben, TO-247 STWA65N023M9

STMicroelectronics N-kanals effekt MOSFET er baseret på den mest innovative super-junction MDmesh M9-teknologi, der er velegnet til mellem- og højspændings MOSFET'er med meget lav RDS(on) pr. område. Den siliciumbaserede M9-teknologi nyder godt af en fremstillingsproces med flere afløb, som muliggør en forbedret enhedsstruktur. Det resulterende produkt har en af de laveste modstand ved tænding og reducerede gate-ladningsværdier blandt alle silicium-baserede MOSFET'er med hurtig switching super junction-effekt, hvilket gør det særligt velegnet til anvendelser, der kræver fremragende effekttæthed og fremragende effektivitet.

Fremragende skifteydelse
Let at køre
100 procent lavintestet