Vishay N-Kanal, MOSFET, 14 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, SIHF
- RS-varenummer:
- 279-9906
- Producentens varenummer:
- SIHF074N65E-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (50 enheder, i en tube med 50)*
Kr. 1.869,00
(ekskl. moms)
Kr. 2.336,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 950 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 37,38 | Kr. 1.869,00 |
| 100 + | Kr. 33,23 | Kr. 1.661,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 279-9906
- Producentens varenummer:
- SIHF074N65E-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 14A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | SIHF | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.079Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 39W | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 10.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 14A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie SIHF | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.079Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 39W | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 10.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay SIHF seriens MOSFET, 650 V maksimal drain-kildespænding, 14 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIHF074N65E-GE3
Denne MOSFET er en højspændings N-kanals effekttransistor, der er designet til montering gennem hul i strømstyrings- og koblingsmiljøer. Den fungerer over et udvidet temperaturområde og er beregnet til anvendelser, der kræver betydelig spændingshåndtering og moderat strømkapacitet, samtidig med at den overholder RoHS-begrænsninger.
Egenskaber og fordele:
• 650 V drain-klassificering muliggør højspændingskoblingsfunktioner
• 14 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter vedvarende strømforsyning
• 0.079 Ω Rds(on) reducerer ledningstab under drift
• 39 W effekttab giver mulighed for øget varmegennemstrømning
• 8 nC typisk gate-ladning sikrer reaktiv skifteadfærd
• 30 V gate-tolerance muliggør bred drevspændingsmargin
• 14 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter vedvarende strømforsyning
• 0.079 Ω Rds(on) reducerer ledningstab under drift
• 39 W effekttab giver mulighed for øget varmegennemstrømning
• 8 nC typisk gate-ladning sikrer reaktiv skifteadfærd
• 30 V gate-tolerance muliggør bred drevspændingsmargin
Anvendelser
• Velegnet til højspændings-switch-mode strømforsyninger
• Ideel til industrielle motordrev invertertrin
• Anvendes med DC-DC-konvertertopologier med høj spænding
• Kan bruges til strømkonvertering til vedvarende energi
• Velegnet til effektfaktorkorrektion af front-end-kredsløb
• Ideel til industrielle motordrev invertertrin
• Anvendes med DC-DC-konvertertopologier med høj spænding
• Kan bruges til strømkonvertering til vedvarende energi
• Velegnet til effektfaktorkorrektion af front-end-kredsløb
Hvilke termiske ekstremer kan denne enhed tolerere under drift?
Den er normeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i barske termiske miljøer, hvor en bred temperaturmodstandsdygtighed er påkrævet.
Hvilken monteringsmetode kræves der til installationen?
Komponenten anvender en TO-220-pakke med gennemgående hul, der er beregnet til printkortmontering med en standardvarmeafledningsfunktion for forbedret termisk styring.
Hvordan påvirker portkarakteristikken koblingsdesign?
En typisk gate-ladning på 8 nC på det specificerede gate-drevniveau informerer gate-driverens valg for at balancere skiftehastigheden mod drevets strømforbrug.
Er der begrænsninger på gate-drevspænding for at undgå skader?
Enheden accepterer gate-til-kilde-spændinger på op til 30 V, så konstruktioner skal sikre, at drevkredsløb ikke overstiger denne tærskel.
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 14 A 650 V Forbedring TO-220, SIHF
- Vishay N-Kanal 14 A 650 V Forbedring TO-220, E
- Vishay N-Kanal 25 A 650 V Forbedring TO-220, EF
- Vishay N-Kanal 4.3 A 650 V Forbedring TO-220, E
- Vishay N-Kanal 12 A 650 V Forbedring PG-TO-220 FullPAK, SF Series
- Vishay N-Kanal 27 A 650 V N TO-220, S Series
- STMicroelectronics N-Kanal 20 A 650 V Forbedring TO-220
- onsemi N-Kanal 40 A 650 V Forbedring TO-220