Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 14 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, SIHF
- RS-varenummer:
- 279-9906
- Producentens varenummer:
- SIHF074N65E-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 1.869,00
(ekskl. moms)
Kr. 2.336,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 950 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 37,38 | Kr. 1.869,00 |
| 100 + | Kr. 33,23 | Kr. 1.661,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 279-9906
- Producentens varenummer:
- SIHF074N65E-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 14A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | SIHF | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.079Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 39W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 10.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 14A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie SIHF | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.079Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 39W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 10.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay SIHF seriens MOSFET, 650 V drain-kildespænding, 14 A kontinuerlig drain-strøm - SIHF074N65E-GE3
Denne MOSFET er en højspændingstransistor, der er designet til strømkonvertering og styring i industriel elektronik. Den fungerer som en N-kanalforbedringsenhed i en TO-220-pakke med gennemgående hul, hvilket giver et praktisk valg til reparerbare samlinger og prototyping, hvor der er behov for robust spændingshåndtering og nem montering.
Egenskaber og fordele:
• 650 V drain-source mærkeværdi muliggør højspændingskoblingsanvendelser • 14 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter vedvarende belastningshåndtering • 0,079 Ω Rds(on) reducerer ledningstab under belastning • 8 nC typisk gate-ladning giver forudsigelig skifteadfærd • 30 V maksimal gate-source-klassificering giver mulighed for brede gate-drevmargener • 39 W effekttabskapacitet styrer termisk stress under drift
Anvendelser
• Velegnet til højspændings-switch-mode strømforsyninger • Ideel til industrielle motordrev, frontender • Anvendes til effektfaktorkorrektionstrin i konvertere • Kan bruges til inverter og svejsningselektronik • Velegnet til laboratorieprototyping og reparationer med gennemgående huller
Hvilket temperaturområde kan den tåle under drift?
Den er specificeret til drift ned til -55 °C og op til 150 °C maksimal samletemperatur til miljøer med høje temperaturer.
Hvor mange monteringsstifter og hvilken pakke bruger den?
Den leveres i en TO-220-pakke med gennemgående hul med tre ben til nem montering af printkort eller køleplade.
Hvilken typisk dynamisk karakteristik påvirker koblingstab?
Den typiske gate-ladning er 8 nC ved det nominelle gate-drev, hvilket påvirker koblingsovergangsenergi og driverstørrelse.
Er den velegnet til kvalificeringsprocesser i biler?
Den er ikke udpeget som en del i bilstandarden og bør derfor ikke bruges, hvor der kræves certificering i bilkvalitet.
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 14 A 650 V Forbedring TO-220, SIHF
- Vishay Type N-Kanal 13 A 600 V Forbedring TO-220, SIHF
- Vishay Type N-Kanal 14 A 650 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 25 A 650 V Forbedring TO-220, EF
- Vishay Type N-Kanal 6.4 A 650 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 18 A 650 V Forbedring TO-220, EF
- Vishay Type N-Kanal 4.3 A 650 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 29 A 650 V Forbedring TO-220, EF