Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 277 A 100 V Forbedring, 4 Ben, 8x8L, SIJH

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 43.802,00

(ekskl. moms)

Kr. 54.752,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2000 +Kr. 21,901Kr. 43.802,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
279-9937
Producentens varenummer:
SIJH5100E-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

277A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

8x8L

Serie

SIJH

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

0.00189Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

128nC

Effektafsættelse maks. Pd

333W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

7.9mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Vishay MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.

TrenchFET effekt MOSFET

Fuldt blyfri (Pb)-enhed

Meget lav RDS x Qg tal for fortjeneste

100 procent Rg og UIS testet

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.