Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 174 A 150 V Forbedring, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), SIJH Nej SIJH5700E-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 268-8324
- Producentens varenummer:
- SIJH5700E-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*
Kr. 46.042,00
(ekskl. moms)
Kr. 57.552,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 14. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2000 + | Kr. 23,021 | Kr. 46.042,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 268-8324
- Producentens varenummer:
- SIJH5700E-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 174A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | PowerPAK (8x8L) | |
| Serie | SIJH | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0041Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 333W | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 7.9mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 174A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype PowerPAK (8x8L) | ||
Serie SIJH | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0041Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 333W | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 7.9mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay N-kanal TrenchFET generation 5 effekt MOSFET er en fuldt blyfri enhed. Den bruges i applikationer som synkron rettelse, motordrevskontrol, batteristyring.
Meget lavt tal for fortjeneste
I overensstemmelse med ROHS
UIS-testet 100 procent
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 174 A 150 V PowerPAK 8 x 8 l SIJH5700E-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 18 A 150 V PowerPAK, SIS5712DN SIS5712DN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 18 A 150 V PowerPAK, SIR5712DP SIR5712DP-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 33 8 ben, PowerPAK 1212-8S SISS5708DN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 26 8 ben, PowerPAK 1212-8S SISS5710DN-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 16 8 ben, PowerPAK 1212-8S SISS73DN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 30 A 20 V, PowerPAK SO-8 SIR424DP-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 40 A 30 V, PowerPAK SO-8 SIRA04DP-T1-GE3
