Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 277 A 100 V Forbedring, 4 Ben, 8x8L, SIJH

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 48,92

(ekskl. moms)

Kr. 61,15

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2.000 enhed(er) afsendes fra 26. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 49Kr. 48,92
50 - 99Kr. 48,02
100 - 249Kr. 44,06
250 - 999Kr. 43,23
1000 +Kr. 42,34

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
279-9938
Producentens varenummer:
SIJH5100E-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

277A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

8x8L

Serie

SIJH

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

0.00189Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

128nC

Effektafsættelse maks. Pd

333W

Portkildespænding maks.

±20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

7.9mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Vishay MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.

TrenchFET effekt MOSFET

Fuldt blyfri (Pb)-enhed

Meget lav RDS x Qg tal for fortjeneste

100 procent Rg og UIS testet

Relaterede links