Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 277 A 100 V Forbedring, 4 Ben, 8x8L, SIJH

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 enhed)*

Kr. 53,48

(ekskl. moms)

Kr. 66,85

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.990 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
1 - 49Kr. 53,48
50 - 99Kr. 52,43
100 - 249Kr. 48,17
250 - 999Kr. 47,27
1000 +Kr. 46,23

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
279-9938
Producentens varenummer:
SIJH5100E-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

277A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

8x8L

Serie

SIJH

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

0.00189Ω

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

333W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

128nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

7.9mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Vishay MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.

TrenchFET effekt MOSFET

Fuldt blyfri (Pb)-enhed

Meget lav RDS x Qg tal for fortjeneste

100 procent Rg og UIS testet

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.