Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 265 A 80 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SIRS

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 57,90

(ekskl. moms)

Kr. 72,38

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 6.000 enhed(er) afsendes fra 24. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 48Kr. 28,95Kr. 57,90
50 - 98Kr. 21,73Kr. 43,46
100 - 248Kr. 19,30Kr. 38,60
250 - 998Kr. 18,925Kr. 37,85
1000 +Kr. 18,625Kr. 37,25

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
279-9973
Producentens varenummer:
SIRS5800DP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

265A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

SO-8

Serie

SIRS

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.0018Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

122nC

Portkildespænding maks.

±20 V

Effektafsættelse maks. Pd

240W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

5mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Vishay MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.

TrenchFET effekt MOSFET

Fuldt blyfri (Pb)-enhed

Meget lav RDS x Qg tal for fortjeneste

100 procent Rg og UIS testet

Relaterede links