Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 166 A 60 V Forbedring, 4 Ben, SO-8L, SQJ162EP AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 280-0018
- Producentens varenummer:
- SQJ162EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 11.760,00
(ekskl. moms)
Kr. 14.700,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 27. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 3,92 | Kr. 11.760,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 280-0018
- Producentens varenummer:
- SQJ162EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 166A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | SQJ162EP | |
| Emballagetype | SO-8L | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.005Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 34nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 166A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie SQJ162EP | ||
Emballagetype SO-8L | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.005Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 34nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay automotive MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.
TrenchFET effekt MOSFET
100 procent Rg og UIS testet
AEC-Q101-kvalificeret
Fuldt blyfri (Pb)-enhed
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 166 A 60 V Forbedring SO-8L, SQJ162EP AEC-Q101 SQJ162EP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 243 A 30 V Forbedring PowerPAK SO-8L AEC-Q101 SQJ154EP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 350 A 40 V Forbedring PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101 SQJ136ELP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 66 A 80 V Forbedring PowerPAK SO-8L, SQJ AEC-Q101 SQJ186ELP-T1_GE3
- Vishay 1 Type P-Kanal Enkelt 36 A 60 V PowerPAK SO-8L, SQJ AEC-Q101 SQJ457EP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 243 A 30 V Forbedring PowerPAK SO-8L AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 350 A 40 V Forbedring PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay 1 Type P-Kanal Enkelt 36 A 60 V PowerPAK SO-8L, SQJ AEC-Q101
