Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 166 A 60 V Forbedring, 4 Ben, SO-8L, SQJ162EP AEC-Q101

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 11.760,00

(ekskl. moms)

Kr. 14.700,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 27. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 3,92Kr. 11.760,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
280-0018
Producentens varenummer:
SQJ162EP-T1_GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

166A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

SQJ162EP

Emballagetype

SO-8L

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

0.005Ω

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

250W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

34nC

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

AEC-Q101

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Vishay automotive MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.

TrenchFET effekt MOSFET

100 procent Rg og UIS testet

AEC-Q101-kvalificeret

Fuldt blyfri (Pb)-enhed

Relaterede links