Vishay N-Kanal, MOSFET, 166 A 60 V Forbedring, 4 Ben, SO-8L, SQJ162EP AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 14.394,00

(ekskl. moms)

Kr. 17.994,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 3.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 4,798Kr. 14.394,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
280-0018
Producentens varenummer:
SQJ162EP-T1_GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

166A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SO-8L

Serie

SQJ162EP

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

0.005Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

34nC

Effektafsættelse maks. Pd

250W

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

AEC-Q101

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Vishay automotive MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.

TrenchFET effekt MOSFET

100 procent Rg og UIS testet

AEC-Q101-kvalificeret

Fuldt blyfri (Pb)-enhed

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.