Infineon N-Kanal, MOSFET, 23 A 150 V, 3 ben, TO-220AB, HEXFET IRF3315PBF

Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.

Infineon IRF3315 er en 150 V 1-kanals HEXFET effekt MOSFET i et TO-220AB hus.

Planar cellestruktur for bred SOA
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i henhold til JEDEC-standarden

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.