Vishay Type P-Kanal, Effekt MOSFET, 12 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, IRF9530S
- RS-varenummer:
- 650-4176
- Producentens varenummer:
- IRF9530SPBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 112,65
(ekskl. moms)
Kr. 140,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Plus 10 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
- Sidste 5 enhed(er) afsendes fra 15. juni 2026
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 22,53 | Kr. 112,65 |
| 50 - 120 | Kr. 19,148 | Kr. 95,74 |
| 125 - 245 | Kr. 18,026 | Kr. 90,13 |
| 250 - 495 | Kr. 16,89 | Kr. 84,45 |
| 500 + | Kr. 13,524 | Kr. 67,62 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 650-4176
- Producentens varenummer:
- IRF9530SPBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | IRF9530S | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.3Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -100V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 38nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 88W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Højde | 4.83mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie IRF9530S | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.3Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -100V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 38nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 88W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Højde 4.83mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
P-kanal MOSFET, 100 V til 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 12 A 100 V Forbedring TO-263, IRF9530S
- Vishay 1 Type P-Kanal Enkelt 11 A 60 V, TO-263
- Vishay 1 Type P-Kanal Enkelt 6.8 A 100 V, TO-263
- Vishay Type P-Kanal 110 A 80 V TO-263
- Vishay Type N-Kanal 5 A 500 V Forbedring TO-263, IRF830A
- Infineon Type N-Kanal 75 A 75 V Forbedring TO-263, HEXFET
- STMicroelectronics P-kanal-Kanal 6 A 700 V Forbedring TO-252, G-HEMT
- STMicroelectronics Type N-Kanal 4 A 600 V Forbedring TO-263, SuperMESH
