Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 5 A 500 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, IRF830A
- RS-varenummer:
- 650-4110
- Producentens varenummer:
- IRF830ASPBF
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 99,18
(ekskl. moms)
Kr. 123,98
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
- Sidste 890 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 + | Kr. 19,836 | Kr. 99,18 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 650-4110
- Producentens varenummer:
- IRF830ASPBF
- Brand:
- Vishay
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Serie | IRF830A | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.1W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 24nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Portkildespænding maks. | -30V, +30V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 9.65mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Standarder/godkendelser | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Højde | 4.83mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Serie IRF830A | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.1W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 24nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Portkildespænding maks. -30V, +30V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 9.65mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Højde 4.83mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 5 A 500 V Forbedring TO-263, IRF830A
- Vishay N-Kanal 5 A 500 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRF830A
- Vishay N-Kanal 8 A 500 V Forbedring TO-263, IRF840S
- Vishay N-Kanal Enkelt 11 A 500 V, TO-263
- Vishay N-Kanal 9.2 A 600 V Forbedring TO-263, IRFS9N60A
- Vishay N-Kanal 10 A 400 V Forbedring TO-263, IRF740S
- Infineon N-Kanal 75 A 75 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Vishay N-Kanal 22 A 600 V Forbedring TO-263, E
