Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 55 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SUM55P06-19L Nej SUM55P06-19L-E3
- RS-varenummer:
- 710-5020
- Producentens varenummer:
- SUM55P06-19L-E3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 98,44
(ekskl. moms)
Kr. 123,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 105 enhed(er) afsendes fra 09. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 19,688 | Kr. 98,44 |
| 50 - 120 | Kr. 16,934 | Kr. 84,67 |
| 125 - 245 | Kr. 15,768 | Kr. 78,84 |
| 250 - 495 | Kr. 14,75 | Kr. 73,75 |
| 500 + | Kr. 11,818 | Kr. 59,09 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 710-5020
- Producentens varenummer:
- SUM55P06-19L-E3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 55A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | SUM55P06-19L | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 19mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 76nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.5V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.75W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.41mm | |
| Højde | 4.83mm | |
| Bredde | 9.65 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 55A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie SUM55P06-19L | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 19mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 76nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.5V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.75W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.41mm | ||
Højde 4.83mm | ||
Bredde 9.65 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
P-kanal MOSFET, 30 V til 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 55 A 60 V Forbedring TO-263, SUM55P06-19L Nej
- Vishay Type P-Kanal 90 A 100 V TO-263 Nej SUM90P10-19L-E3
- Vishay Type P-Kanal 110 A 60 V Forbedring TO-263 Nej SUM110P06-07L-E3
- Vishay Type P-Kanal 110 A 60 V Forbedring TO-263, SUM110P06-08L Nej SUM110P06-08L-E3
- Vishay Type P-Kanal 110 A 60 V Forbedring TO-263 Nej
- Vishay Type P-Kanal 110 A 60 V Forbedring TO-263, SUM110P06-08L Nej
- Vishay Type P-Kanal 90 A 100 V TO-263 Nej
- Infineon Type P-Kanal 70 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET Nej