onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 20 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 Nej NTD5867NLT4G
- RS-varenummer:
- 719-2901
- Producentens varenummer:
- NTD5867NLT4G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 57,82
(ekskl. moms)
Kr. 72,275
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- 5 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Sidste 5 enhed(er) afsendes fra 08. januar 2026
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 11,564 | Kr. 57,82 |
| 50 - 95 | Kr. 9,964 | Kr. 49,82 |
| 100 - 495 | Kr. 8,632 | Kr. 43,16 |
| 500 - 995 | Kr. 7,60 | Kr. 38,00 |
| 1000 + | Kr. 6,912 | Kr. 34,56 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 719-2901
- Producentens varenummer:
- NTD5867NLT4G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 50mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 36W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Højde | 2.38mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 50mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 36W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Højde 2.38mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal Power MOSFET, 60 V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterede links
- onsemi N-Kanal 20 A 60 V DPAK (TO-252) NTD5867NLT4G
- onsemi N-Kanal 155 A 60 V, DPAK (TO-252) NTD5C632NLT4G
- onsemi N-Kanal 18 A 60 V DPAK (TO-252) NTD18N06LT4G
- onsemi N-Kanal 20 A 60 V DPAK (TO-252) NTD20N06LT4G
- onsemi N-Kanal 12 A 60 V DPAK (TO-252) NTD3055L104T4G
- onsemi N-Kanal 16 A 60 V DPAK (TO-252) RFD16N06LESM9A
- onsemi N-Kanal 11 A 60 V DPAK (TO-252) RFD3055LESM9A
- onsemi N-Kanal 24 A 60 V DPAK (TO-252) NTD24N06LT4G
