onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 11 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, RFD3055LESM Nej RFD3055LESM9A

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 27,94

(ekskl. moms)

Kr. 34,92

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 10 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 1.000 enhed(er) afsendes fra 07. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 2,794Kr. 27,94
100 - 240Kr. 2,411Kr. 24,11
250 - 490Kr. 2,087Kr. 20,87
500 - 990Kr. 1,836Kr. 18,36
1000 +Kr. 1,674Kr. 16,74

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
802-2159
Producentens varenummer:
RFD3055LESM9A
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

11A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

RFD3055LESM

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

107mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

38W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

9.4nC

Portkildespænding maks.

16 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

6.22 mm

Længde

6.73mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

2.39mm

Bilindustristandarder

Nej

Optimeret tilstand N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


Felteffekttransistorer (FET) med optimeret tilstand er fremstillet ved hjælp af Fairchilds egenudviklede DMOS-teknologi med stor celletæthed. Denne proces med stor tæthed, der er udviklet med henblik på at minimere modstand i ledetilstand, giver en robust og pålidelig ydeevne og hurtigt skift.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links