Infineon N-Kanal, MOSFET, 88 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- RS-varenummer:
- 752-8381
- Producentens varenummer:
- IPP110N20N3GXKSA1
- Brand:
- Infineon
Få rabat ved storkøb
Tilføj 5 flere for at gemme Kr. 6,35
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 38,07
(ekskl. moms)
Kr. 47,59
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 47 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 11 enhed(er) afsendes fra 13. november 2026
- Plus 500 enhed(er) afsendes fra 11. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 38,07 | - |
| 5 - 9 | Kr. 36,80 | Kr. 6,35 |
| 10 - 14 | Kr. 36,28 | Kr. 17,90 |
| 15 - 24 | Kr. 35,16 | Kr. 43,65 |
| 25 + | Kr. 34,18 | Kr. 97,25 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 752-8381
- Producentens varenummer:
- IPP110N20N3GXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 88A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 11mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 65nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 9.45mm | |
| Bredde | 4.57mm | |
| Længde | 10.36mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 88A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 11mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 65nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 9.45mm | ||
Bredde 4.57mm | ||
Længde 10.36mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, 100 V og derover
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 88 A 200 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 88 A 200 V Forbedring TO-263, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 70 A 40 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 83 A 150 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 70 A 30 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 45 A 100 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 100 A 80 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 120 A 120 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3