Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 88 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3 Nej IPP110N20N3GXKSA1
- RS-varenummer:
- 752-8381
- Producentens varenummer:
- IPP110N20N3GXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 34,56
(ekskl. moms)
Kr. 43,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 116 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
- Plus 113 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 34,56 |
| 5 - 9 | Kr. 33,51 |
| 10 - 14 | Kr. 32,91 |
| 15 - 24 | Kr. 31,86 |
| 25 + | Kr. 31,04 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 752-8381
- Producentens varenummer:
- IPP110N20N3GXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 88A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 11mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 65nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 9.45mm | |
| Længde | 10.36mm | |
| Bredde | 4.57 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 88A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 11mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 65nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 9.45mm | ||
Længde 10.36mm | ||
Bredde 4.57 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, 100 V og derover
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 88 A 200 V TO-220, OptiMOS™ 3 IPP110N20N3GXKSA1
- Infineon N-Kanal 88 A 200 V D2PAK (TO-263), OptiMOS™ IPB107N20N3GATMA1
- Infineon N-Kanal 34 A 200 V TO-220, OptiMOS™ 3 IPP320N20N3GXKSA1
- Infineon N-Kanal 50 A 150 V TO-220, OptiMOS™ 3 IPP200N15N3GXKSA1
- Infineon N-Kanal 58 A 100 V TO-220, OptiMOS™ 3 IPP126N10N3GXKSA1
- Infineon N-Kanal 100 A 80 V TO-220, OptiMOS™ 3 IPP037N08N3GXKSA1
- Infineon N-Kanal 70 A 30 V TO-220, OptiMOS™ 3 IPP042N03LGXKSA1
- Infineon N-Kanal 70 A 40 V TO-220, OptiMOS™ 3 IPP048N04NGXKSA1
