STMicroelectronics Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 10 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, FDmesh Nej STP11NM60ND
- RS-varenummer:
- 760-9982
- Producentens varenummer:
- STP11NM60ND
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 15,26
(ekskl. moms)
Kr. 19,08
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 6 enhed(er) afsendes fra 08. januar 2026
- Plus 1 enhed(er) afsendes fra 09. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 15,26 |
| 10 - 99 | Kr. 12,94 |
| 100 - 499 | Kr. 10,32 |
| 500 - 999 | Kr. 9,57 |
| 1000 + | Kr. 9,28 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 760-9982
- Producentens varenummer:
- STP11NM60ND
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | FDmesh | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.45Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 30nC | |
| Portkildespænding maks. | ±25 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 90W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.6 mm | |
| Længde | 10.4mm | |
| Højde | 15.75mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie FDmesh | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.45Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 30nC | ||
Portkildespænding maks. ±25 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 90W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.6 mm | ||
Længde 10.4mm | ||
Højde 15.75mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 10 A 600 V TO-220, FDmesh STP11NM60ND
- STMicroelectronics N-Kanal 11 A 600 V TO-220, FDmesh STP13NM60ND
- STMicroelectronics N-Kanal 20 A 600 V TO-220, FDmesh STP20NM60FD
- STMicroelectronics N-Kanal 10 A 600 V TO-220FP, FDmesh STF11NM60ND
- STMicroelectronics N-Kanal 29 A 600 V TO-247, FDmesh STW34NM60ND
- STMicroelectronics N-Kanal 20 A 600 V TO-247, FDmesh STW20NM60FD
- STMicroelectronics N-Kanal 51 A 600 V TO-247, FDmesh STW55NM60ND
- STMicroelectronics N-Kanal 11 A 600 V DPAK (TO-252), FDmesh STD13NM60ND
