STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 17 A 250 V, 3 ben, TO-220, STripFET II STP17NF25
- RS-varenummer:
- 761-0042P
- Producentens varenummer:
- STP17NF25
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 25 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 285,10
(ekskl. moms)
Kr. 356,375
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 25 - 45 | Kr. 11,404 |
| 50 - 245 | Kr. 10,264 |
| 250 - 495 | Kr. 9,124 |
| 500 + | Kr. 8,032 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 761-0042P
- Producentens varenummer:
- STP17NF25
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 17 A | |
| Drain source spænding maks. | 250 V | |
| Kapslingstype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. | 165 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 4V | |
| Mindste tærskelspænding for port | 2V | |
| Effektafsættelse maks. | 90 W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -20 V, +20 V | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Transistormateriale | Si | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Længde | 10.4mm | |
| Bredde | 4.6mm | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 29,5 nC ved 10 V | |
| Serie | STripFET II | |
| Højde | 15.75mm | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 17 A | ||
Drain source spænding maks. 250 V | ||
Kapslingstype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. 165 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 4V | ||
Mindste tærskelspænding for port 2V | ||
Effektafsættelse maks. 90 W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -20 V, +20 V | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Transistormateriale Si | ||
Driftstemperatur maks. +150 °C | ||
Længde 10.4mm | ||
Bredde 4.6mm | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 29,5 nC ved 10 V | ||
Serie STripFET II | ||
Højde 15.75mm | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 17 A 250 V Forbedring TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics Type N-Kanal 80 A 100 V Forbedring TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics Type N-Kanal 60 A 60 V Forbedring TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics Type N-Kanal 120 A 100 V Forbedring TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics Type N-Kanal 50 A 60 V Forbedring TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics Type N-Kanal 38 A 60 V Forbedring TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics Type N-Kanal 80 A 75 V Forbedring TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics Type N-Kanal 120 A 75 V Forbedring TO-220, STripFET II