Renesas Electronics P-Kanal, MOSFET, 50 A 60 V, 3 ben, TO-220 2SJ602-AZ
- RS-varenummer:
- 772-5267P
- Producentens varenummer:
- 2SJ602-AZ
- Brand:
- Renesas Electronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 20 enheder (leveres i en pose)*
Kr. 113,72
(ekskl. moms)
Kr. 142,16
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 20 - 95 | Kr. 5,686 |
| 100 - 195 | Kr. 5,572 |
| 200 - 495 | Kr. 5,444 |
| 500 + | Kr. 5,348 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 772-5267P
- Producentens varenummer:
- 2SJ602-AZ
- Brand:
- Renesas Electronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Renesas Electronics | |
| Kanaltype | P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 50 A | |
| Drain source spænding maks. | 60 V | |
| Kapslingstype | TO-220 | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. | 107 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 2.5V | |
| Effektafsættelse maks. | 40 W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -20 V, +20 V | |
| Transistormateriale | Si | |
| Bredde | 8.5mm | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 26 nC ved 10 V | |
| Længde | 10mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Højde | 4.8mm | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Renesas Electronics | ||
Kanaltype P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 50 A | ||
Drain source spænding maks. 60 V | ||
Kapslingstype TO-220 | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. 107 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 2.5V | ||
Effektafsættelse maks. 40 W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -20 V, +20 V | ||
Transistormateriale Si | ||
Bredde 8.5mm | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 26 nC ved 10 V | ||
Længde 10mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Driftstemperatur maks. +150 °C | ||
Højde 4.8mm | ||
P-kanal MOSFET, Renesas Electronics (NEC)
MOSFET-transistorer, Renesas Electronics (NEC)
Relaterede links
- Renesas Electronics P-Kanal 120 A 60 V TO-220 2SJ604-AZ
- Renesas Electronics P-Kanal 15 A 60 V TO-252 NP15P06SLG-E1-AY
- Renesas Electronics Type P-Kanal 100 A 60 V P MP-25ZP (TO-263), NP100P06PDG AEC-Q101
- Renesas Electronics P-Kanal 240 A 60 V TIL-3P 2SJ555-E
- Renesas Electronics Type P-Kanal 100 A 60 V P MP-25ZP (TO-263), NP100P06PDG AEC-Q101 NP100P06PDG-E1-AY
- onsemi P-Kanal 12 A 60 V TO-220 NTP2955G
- onsemi Type P-Kanal 27 A 60 V Forbedring TO-220, QFET Nej
- Infineon Type P-Kanal 80 A 60 V Forbedring TO-220, SIPMOS Nej
