Renesas Electronics N-Kanal, MOSFET, 332 A 60 V, 3 ben, TO-220 2SK3355-AZ
- RS-varenummer:
- 772-5400P
- Producentens varenummer:
- 2SK3355-AZ
- Brand:
- Renesas Electronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 40 enheder (leveres i en pose)*
Kr. 910,80
(ekskl. moms)
Kr. 1.138,40
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 40 - 198 | Kr. 22,77 |
| 200 - 498 | Kr. 22,325 |
| 500 - 998 | Kr. 21,885 |
| 1000 + | Kr. 21,405 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 772-5400P
- Producentens varenummer:
- 2SK3355-AZ
- Brand:
- Renesas Electronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Renesas Electronics | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 332 A | |
| Drain source spænding maks. | 60 V | |
| Kapslingstype | TO-220 | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. | 8,8 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 2.5V | |
| Effektafsættelse maks. | 100 W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -20 V, +20 V | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Længde | 10mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Transistormateriale | Si | |
| Bredde | 8.5mm | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 170 nC ved 10 V | |
| Højde | 4.8mm | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Renesas Electronics | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 332 A | ||
Drain source spænding maks. 60 V | ||
Kapslingstype TO-220 | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. 8,8 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 2.5V | ||
Effektafsættelse maks. 100 W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -20 V, +20 V | ||
Driftstemperatur maks. +150 °C | ||
Længde 10mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Transistormateriale Si | ||
Bredde 8.5mm | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 170 nC ved 10 V | ||
Højde 4.8mm | ||
N-kanal lav spænding MOSFET'ere op til 140 V, Renesas Electronics
MOSFET-transistorer, Renesas Electronics (NEC)
Relaterede links
- Renesas Electronics N-Kanal 80 A 60 V TO-220 2SK3433-AZ
- Renesas Electronics N-Kanal 30 A 100 V TO-220 2SK3481-AZ
- Renesas Electronics P-Kanal 120 A 60 V TO-220 2SJ604-AZ
- Renesas Electronics P-Kanal 50 A 60 V TO-220 2SJ602-AZ
- Renesas Electronics P-Kanal 300 A 60 V TO-220 2SJ606-AZ
- Renesas Electronics P-Kanal 25 A 60 V IPAK (TO-251) 2SJ600-AZ
- Renesas Electronics N-Kanal 1 3 ben, TO-92 2SK975TZ-E
- Renesas Electronics Type N-Kanal 40 A 60 V Forbedring SOT-669
