Renesas Electronics P-Kanal, MOSFET, 120 A 60 V, 3 ben, TO-220 2SJ604-AZ

Der er mulighed for mængderabat

Indhold 20 enheder (leveres i en pose)*

Kr. 165,12

(ekskl. moms)

Kr. 206,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig
Enheder
Per stk.
20 - 95Kr. 8,256
100 - 195Kr. 8,096
200 - 495Kr. 7,934
500 +Kr. 7,758

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
772-5260P
Producentens varenummer:
2SJ604-AZ
Brand:
Renesas Electronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Renesas Electronics

Kanaltype

P

Drain-strøm kontinuerlig maks.

120 A

Drain source spænding maks.

60 V

Kapslingstype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks.

43 mΩ

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

2.5V

Effektafsættelse maks.

70 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

-20 V, +20 V

Bredde

8.5mm

Længde

10mm

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Antal elementer per chip

1

Transistormateriale

Si

Gate-ladning ved Vgs typisk

63 nC ved 10 V

Højde

4.8mm

P-kanal MOSFET, Renesas Electronics (NEC)



MOSFET-transistorer, Renesas Electronics (NEC)

Relaterede links