Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 11.1 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, ThunderFET Nej SI4056DY-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 787-9137
- Producentens varenummer:
- SI4056DY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 29,32
(ekskl. moms)
Kr. 36,65
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 4.235 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 + | Kr. 5,864 | Kr. 29,32 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 787-9137
- Producentens varenummer:
- SI4056DY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 11.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | ThunderFET | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 31mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19.6nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 5.7W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.5mm | |
| Bredde | 4 mm | |
| Længde | 5mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 11.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie ThunderFET | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 31mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19.6nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 5.7W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.5mm | ||
Bredde 4 mm | ||
Længde 5mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, medium spænding/ThunderFET®, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 11.1 A 100 V Forbedring SOIC, ThunderFET Nej
- Vishay Type N-Kanal 20 A 100 V Forbedring SOIC, ThunderFET Nej SI4090DY-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 20 A 100 V Forbedring SOIC, ThunderFET Nej
- Vishay Type N-Kanal 30 A 80 V Forbedring PowerPAK 1212, ThunderFET Nej SIS468DN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 11.3 A 100 V Forbedring SC-70, ThunderFET Nej SIA416DJ-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 30 A 80 V Forbedring PowerPAK 1212, ThunderFET Nej
- Vishay Type N-Kanal 11.3 A 100 V Forbedring SC-70, ThunderFET Nej
- Vishay Type N-Kanal 10.9 A 30 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej SI4128DY-T1-GE3