Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 12.7 A 25 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, Si4116DY Nej
- RS-varenummer:
- 919-0272
- Producentens varenummer:
- SI4116DY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 919-0272
- Producentens varenummer:
- SI4116DY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 25V | |
| Serie | Si4116DY | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 37nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 12 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5mm | |
| Højde | 1.55mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 25V | ||
Serie Si4116DY | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 37nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 12 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5mm | ||
Højde 1.55mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 8 V til 25 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 12.7 A 25 V Forbedring SOIC, Si4116DY Nej SI4116DY-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 8.5 A 60 V Forbedring SOIC, Si4850EY Nej
- Vishay Type N-Kanal 14 A 30 V Forbedring SOIC, Si4134DY Nej
- Vishay Type N-Kanal 19 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej
- Vishay Type N-Kanal 20 A 100 V Forbedring SOIC, ThunderFET Nej
- Vishay Type N-Kanal 12 A 30 V Forbedring SOIC, Si4178DY Nej
- Vishay Type N-Kanal 36 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej
- Vishay Type N-Kanal 18 A 100 V Forbedring SOIC, Si4190ADY Nej
