Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 12.7 A 25 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, Si4116DY Nej SI4116DY-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 34,86

(ekskl. moms)

Kr. 43,575

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 2.410 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 6,972Kr. 34,86
50 - 245Kr. 6,552Kr. 32,76
250 - 495Kr. 5,924Kr. 29,62
500 - 1245Kr. 5,58Kr. 27,90
1250 +Kr. 5,236Kr. 26,18

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
710-3317
Producentens varenummer:
SI4116DY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

12.7A

Drain source spænding maks. Vds

25V

Serie

Si4116DY

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

9mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

37nC

Portkildespænding maks.

12 V

Effektafsættelse maks. Pd

2.5W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

5mm

Højde

1.55mm

Bredde

4 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal MOSFET, 8 V til 25 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links