Vishay N-Kanal, MOSFET, 12.7 A 25 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, Si4116DY
- RS-varenummer:
- 710-3317
- Producentens varenummer:
- SI4116DY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 11,28
(ekskl. moms)
Kr. 14,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 2.410 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 + | Kr. 2,256 | Kr. 11,28 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 710-3317
- Producentens varenummer:
- SI4116DY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 25V | |
| Serie | Si4116DY | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 37nC | |
| Portkildespænding maks. | -12V, +12V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.55mm | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 25V | ||
Serie Si4116DY | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 37nC | ||
Portkildespænding maks. -12V, +12V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.55mm | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 8 V til 25 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 12.7 A 25 V Forbedring SOIC, Si4116DY
- Vishay N-Kanal 10.9 A 30 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 12 A 30 V Forbedring SOIC, Si4178DY
- Vishay N-Kanal 2.7 A 150 V Forbedring SOIC, Si4848DY
- Vishay N-Kanal 19 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 14 A 30 V Forbedring SOIC, Si4134DY
- Vishay N-Kanal 13.6 A 30 V Forbedring SOIC, Si4162DY
- Vishay N-Kanal 8.5 A 60 V Forbedring SOIC, Si4850EY