Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 18 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, Si4190ADY Nej SI4190ADY-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 787-9235
- Producentens varenummer:
- SI4190ADY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 49,54
(ekskl. moms)
Kr. 61,925
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 2.030 enhed(er) afsendes fra 19. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 + | Kr. 9,908 | Kr. 49,54 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 787-9235
- Producentens varenummer:
- SI4190ADY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 18A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Serie | Si4190ADY | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.2Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 44.4nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 6W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 4 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 5mm | |
| Højde | 1.5mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 18A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype SOIC | ||
Serie Si4190ADY | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.2Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 44.4nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 6W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 4 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 5mm | ||
Højde 1.5mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 100 V til 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 18 A 100 V Forbedring SOIC, Si4190ADY Nej
- Vishay Type N-Kanal 10.9 A 30 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej SI4128DY-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 13.6 A 30 V Forbedring SOIC, Si4162DY Nej SI4162DY-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 12.7 A 25 V Forbedring SOIC, Si4116DY Nej SI4116DY-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 8.5 A 60 V Forbedring SOIC, Si4850EY Nej SI4850EY-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 20 A 100 V Forbedring SOIC, ThunderFET Nej SI4090DY-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 12 A 30 V Forbedring SOIC, Si4178DY Nej SI4178DY-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 11.1 A 100 V Forbedring SOIC, ThunderFET Nej SI4056DY-T1-GE3