Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 18 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, Si4190ADY

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 11.885,00

(ekskl. moms)

Kr. 14.855,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 29. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 4,754Kr. 11.885,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
919-4233
Producentens varenummer:
SI4190ADY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

18A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

Si4190ADY

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

2.2Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

44.4nC

Effektafsættelse maks. Pd

6W

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

4 mm

Højde

1.5mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

5mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
TW

N-kanal MOSFET, 100 V til 150 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links