Vishay N-Kanal, MOSFET, 18 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, Si4190ADY
- RS-varenummer:
- 919-4233
- Producentens varenummer:
- SI4190ADY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 919-4233
- Producentens varenummer:
- SI4190ADY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 18A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Serie | Si4190ADY | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.2Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 44.4nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 6W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 4mm | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.5mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 18A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype SOIC | ||
Serie Si4190ADY | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.2Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 44.4nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 6W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 4mm | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.5mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
N-kanal MOSFET, 100 V til 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 18 A 100 V Forbedring SOIC, Si4190ADY
- Vishay N-Kanal 10.9 A 30 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 12 A 30 V Forbedring SOIC, Si4178DY
- Vishay N-Kanal 2.7 A 150 V Forbedring SOIC, Si4848DY
- Vishay N-Kanal 19 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 14 A 30 V Forbedring SOIC, Si4134DY
- Vishay N-Kanal 13.6 A 30 V Forbedring SOIC, Si4162DY
- Vishay N-Kanal 8.5 A 60 V Forbedring SOIC, Si4850EY