Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 8.5 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, Si4850EY Nej SI4850EY-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 55,83

(ekskl. moms)

Kr. 69,79

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2.045 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 11,166Kr. 55,83
50 - 120Kr. 9,502Kr. 47,51
125 - 245Kr. 8,258Kr. 41,29
250 - 495Kr. 6,81Kr. 34,05
500 +Kr. 5,338Kr. 26,69

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
787-9014
Producentens varenummer:
SI4850EY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

8.5A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

Si4850EY

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

47mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

3.3W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

18nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.5mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

5mm

Bredde

4 mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MOSFET, 60 V til 90 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links