Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 8.5 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, Si4850EY
- RS-varenummer:
- 787-9014
- Producentens varenummer:
- SI4850EY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 84,37
(ekskl. moms)
Kr. 105,46
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.895 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 16,874 | Kr. 84,37 |
| 50 - 120 | Kr. 14,346 | Kr. 71,73 |
| 125 - 245 | Kr. 12,476 | Kr. 62,38 |
| 250 - 495 | Kr. 10,292 | Kr. 51,46 |
| 500 + | Kr. 8,078 | Kr. 40,39 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 787-9014
- Producentens varenummer:
- SI4850EY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Serie | Si4850EY | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 47mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.3W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 18nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5mm | |
| Højde | 1.5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SOIC | ||
Serie Si4850EY | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 47mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.3W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 18nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5mm | ||
Højde 1.5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 60 V til 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 8.5 A 60 V Forbedring SOIC, Si4850EY
- Vishay 2 Type N-Kanal Isoleret 6.5 A 60 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 12 A 60 V Forbedring SOIC, SQ Rugged AEC-Q101
- Vishay 2 Type P MOSFET 8 Ben TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 12.7 A 25 V Forbedring SOIC, Si4116DY
- Vishay Type N-Kanal 10.9 A 30 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 19 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 14 A 30 V Forbedring SOIC, Si4134DY