Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 14 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, Si4134DY
- RS-varenummer:
- 710-3320
- Producentens varenummer:
- Si4134DY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 52,96
(ekskl. moms)
Kr. 66,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 3.740 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 5,296 | Kr. 52,96 |
| 100 - 240 | Kr. 4,982 | Kr. 49,82 |
| 250 - 490 | Kr. 4,495 | Kr. 44,95 |
| 500 - 990 | Kr. 4,249 | Kr. 42,49 |
| 1000 + | Kr. 3,979 | Kr. 39,79 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 710-3320
- Producentens varenummer:
- Si4134DY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 14A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | Si4134DY | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.014Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 5W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7.3nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.5mm | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | IEC 61249-2-21 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 14A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie Si4134DY | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.014Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 5W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7.3nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.5mm | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 30 V til 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 14 A 30 V Forbedring SOIC, Si4134DY
- Vishay Type N-Kanal 12.7 A 25 V Forbedring SOIC, Si4116DY
- Vishay Type N-Kanal 10.9 A 30 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 19 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 13.6 A 30 V Forbedring SOIC, Si4162DY
- Vishay Type N-Kanal 36 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 8.5 A 60 V Forbedring SOIC, Si4850EY
- Vishay Type N-Kanal 18 A 100 V Forbedring SOIC, Si4190ADY