Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 13.6 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, Si4162DY Nej SI4162DY-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 29,17

(ekskl. moms)

Kr. 36,46

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 31. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 5,834Kr. 29,17
50 - 245Kr. 5,506Kr. 27,53
250 - 495Kr. 4,966Kr. 24,83
500 - 1245Kr. 4,668Kr. 23,34
1250 +Kr. 4,384Kr. 21,92

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
710-3323
Producentens varenummer:
SI4162DY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

13.6A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

Si4162DY

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

8mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

20nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

2.5W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

4 mm

Længde

5mm

Højde

1.5mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal MOSFET, 30 V til 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links