Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 13.6 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, Si4162DY

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 51,16

(ekskl. moms)

Kr. 63,95

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 24. maj 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 10,232Kr. 51,16
50 - 245Kr. 9,664Kr. 48,32
250 - 495Kr. 8,722Kr. 43,61
500 - 1245Kr. 8,168Kr. 40,84
1250 +Kr. 7,704Kr. 38,52

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
710-3323
Producentens varenummer:
SI4162DY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

13.6A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

SOIC

Serie

Si4162DY

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

8mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

20nC

Effektafsættelse maks. Pd

2.5W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.5mm

Længde

5mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal MOSFET, 30 V til 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.