Vishay N-Kanal, MOSFET, 12 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, Si4178DY
- RS-varenummer:
- 812-3205
- Producentens varenummer:
- SI4178DY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 79,90
(ekskl. moms)
Kr. 99,88
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.640 enhed(er) afsendes fra 09. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | Kr. 3,995 | Kr. 79,90 |
| 200 - 480 | Kr. 3,19 | Kr. 63,80 |
| 500 - 980 | Kr. 3,00 | Kr. 60,00 |
| 1000 - 1980 | Kr. 2,60 | Kr. 52,00 |
| 2000 + | Kr. 2,158 | Kr. 43,16 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 812-3205
- Producentens varenummer:
- SI4178DY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | Si4178DY | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 33mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7.5nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.85V | |
| Portkildespænding maks. | -25V, +25V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 5W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 4mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 1.55mm | |
| Længde | 5mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie Si4178DY | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 33mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7.5nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.85V | ||
Portkildespænding maks. -25V, +25V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 5W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 4mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 1.55mm | ||
Længde 5mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay Si4178DY seriens MOSFET, 30 V maksimal drain-kildespænding, 12 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SI4178DY-T1-GE3
Denne MOSFET er en overflademonteret N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til strømkobling og styring i kompakte elektroniske systemer. Den giver moderat spændingshåndtering og høj kontinuerlig strømkapacitet, velegnet til anvendelser, hvor effektiv kobling med høj strømstyrke og termisk modstandsdygtighed er påkrævet. Komponenten er i overensstemmelse med RoHS og er beregnet til montering på kortniveau i industrielle og kommercielle design.
Egenskaber og fordele:
• 30 V drain-klassificering muliggør mellemspændingskoblingsanvendelser
• 12 A kontinuerlig strøm understøtter styring af højstrømsbelastning
• 33 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab i strømveje
• 7.5 nC typisk portladning muliggør hurtige portovergange
• 5 W effekttab hjælper med at styre termisk belastning i små kabinetter
• 12 A kontinuerlig strøm understøtter styring af højstrømsbelastning
• 33 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab i strømveje
• 7.5 nC typisk portladning muliggør hurtige portovergange
• 5 W effekttab hjælper med at styre termisk belastning i små kabinetter
Anvendelser
• Velegnet til DC-DC-konverterudgangstrin
• Ideel til batteristyring og strømfordeling
• Anvendes sammen med motordrev til kompakte aktuatorer
• Kan bruges til belastningsswitching i telekommunikationsudstyr
• Ideel til batteristyring og strømfordeling
• Anvendes sammen med motordrev til kompakte aktuatorer
• Kan bruges til belastningsswitching i telekommunikationsudstyr
Hvilke gate-spændingsbegrænsninger skal designere overholde?
Enheden accepterer op til 25 V mellem gate og kilde, så gate-drivere skal forblive inden for denne grænse for at undgå gate-oxid-belastning.
Hvordan påvirker den termiske ydeevne beslutninger om printkortlayout?
Med en nominel dissipation på 5 W skal designere levere tilstrækkeligt kobberareal og termiske ledninger under SOIC-fodaftrykket for at forbedre varmespredningen og opretholde forbindelsestemperaturen inden for grænserne.
Hvilken omgivelsestemperatur kan den arbejde inden for?
Den fungerer pålideligt fra -55 °C til 150 °C, hvilket informerer om valg til anvendelser, der er udsat for brede termiske ekstremer.
Hvilke hensyn til pakken og monteringen påvirker samlingen?
Delen leveres i en SOIC-8-pakke til overflademontering med en samlet profilhøjde på 1,55 mm, så stencildesign og loddepastavolumen skal justeres for ensartede loddeled.
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 12 A 30 V Forbedring SOIC, Si4178DY
- Vishay N-Kanal 10.9 A 30 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 2.7 A 150 V Forbedring SOIC, Si4848DY
- Vishay N-Kanal 19 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 14 A 30 V Forbedring SOIC, Si4134DY
- Vishay N-Kanal 13.6 A 30 V Forbedring SOIC, Si4162DY
- Vishay N-Kanal 8.5 A 60 V Forbedring SOIC, Si4850EY
- Vishay N-Kanal 18 A 100 V Forbedring SOIC, Si4190ADY