Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 12 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, Si4178DY Nej SI4178DY-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 65,52

(ekskl. moms)

Kr. 81,90

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1.700 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 180Kr. 3,276Kr. 65,52
200 - 480Kr. 2,622Kr. 52,44
500 - 980Kr. 2,461Kr. 49,22
1000 - 1980Kr. 2,128Kr. 42,56
2000 +Kr. 1,769Kr. 35,38

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
812-3205
Producentens varenummer:
SI4178DY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

12A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

SOIC

Serie

Si4178DY

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

33mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

0.85V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

7.5nC

Effektafsættelse maks. Pd

5W

Portkildespænding maks.

25 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

5mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.55mm

Bredde

4 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal MOSFET, 30 V til 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links