Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 12 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, Si4178DY

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 65,52

(ekskl. moms)

Kr. 81,90

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.700 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 180Kr. 3,276Kr. 65,52
200 - 480Kr. 2,622Kr. 52,44
500 - 980Kr. 2,461Kr. 49,22
1000 - 1980Kr. 2,128Kr. 42,56
2000 +Kr. 1,769Kr. 35,38

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
812-3205
Producentens varenummer:
SI4178DY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

12A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

SOIC

Serie

Si4178DY

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

33mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

0.85V

Portkildespænding maks.

25 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

7.5nC

Effektafsættelse maks. Pd

5W

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

5mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.55mm

Bredde

4 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal MOSFET, 30 V til 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links