Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 12 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, Si4178DY Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 4.225,00

(ekskl. moms)

Kr. 5.275,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 11. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 1,69Kr. 4.225,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
165-7249
Producentens varenummer:
SI4178DY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

12A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

SOIC

Serie

Si4178DY

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

33mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

25 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

7.5nC

Effektafsættelse maks. Pd

5W

Gennemgangsspænding Vf

0.85V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.55mm

Længde

5mm

Bredde

4 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal MOSFET, 30 V til 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links