Vishay N-Kanal, MOSFET, 12 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, Si4178DY

RS-varenummer:: 165-7249
Producentens varenummer:: SI4178DY-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay N-Kanal, MOSFET, 12 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, Si4178DY

Kan ikke leveres i øjeblikket

Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.

RS-varenummer:: 165-7249
Producentens varenummer:: SI4178DY-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	12A
	Drain source spænding maks. Vds	30V
	Serie	Si4178DY
	Emballagetype	SOIC
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	33mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf	0.85V
	Portkildespænding maks.	-25V, +25V
	Effektafsættelse maks. Pd	5W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	7.5nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bredde	4mm
	Længde	5mm
	Højde	1.55mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A
	Drain source spænding maks. Vds 30V
	Serie Si4178DY
	Emballagetype SOIC
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 33mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf 0.85V
	Portkildespænding maks. -25V, +25V
	Effektafsættelse maks. Pd 5W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7.5nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bredde 4mm
	Længde 5mm
	Højde 1.55mm
	Bilindustristandarder Nej

COO (Country of Origin):: CN

Vishay Si4178DY seriens MOSFET, 30 V maksimal drain-kildespænding, 12 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SI4178DY-T1-GE3

Denne MOSFET er en overflademonteret N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til strømkobling og styring i kompakte elektroniske systemer. Den giver moderat spændingshåndtering og høj kontinuerlig strømkapacitet, velegnet til anvendelser, hvor effektiv kobling med høj strømstyrke og termisk modstandsdygtighed er påkrævet. Komponenten er i overensstemmelse med RoHS og er beregnet til montering på kortniveau i industrielle og kommercielle design.

Egenskaber og fordele:

• 30 V drain-klassificering muliggør mellemspændingskoblingsanvendelser
• 12 A kontinuerlig strøm understøtter styring af højstrømsbelastning
• 33 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab i strømveje
• 7.5 nC typisk portladning muliggør hurtige portovergange
• 5 W effekttab hjælper med at styre termisk belastning i små kabinetter

Anvendelser

• Velegnet til DC-DC-konverterudgangstrin
• Ideel til batteristyring og strømfordeling
• Anvendes sammen med motordrev til kompakte aktuatorer
• Kan bruges til belastningsswitching i telekommunikationsudstyr

Hvilke gate-spændingsbegrænsninger skal designere overholde?

Enheden accepterer op til 25 V mellem gate og kilde, så gate-drivere skal forblive inden for denne grænse for at undgå gate-oxid-belastning.

Hvordan påvirker den termiske ydeevne beslutninger om printkortlayout?

Med en nominel dissipation på 5 W skal designere levere tilstrækkeligt kobberareal og termiske ledninger under SOIC-fodaftrykket for at forbedre varmespredningen og opretholde forbindelsestemperaturen inden for grænserne.

Hvilken omgivelsestemperatur kan den arbejde inden for?

Den fungerer pålideligt fra -55 °C til 150 °C, hvilket informerer om valg til anvendelser, der er udsat for brede termiske ekstremer.

Hvilke hensyn til pakken og monteringen påvirker samlingen?

Delen leveres i en SOIC-8-pakke til overflademontering med en samlet profilhøjde på 1,55 mm, så stencildesign og loddepastavolumen skal justeres for ensartede loddeled.