Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 20 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, ThunderFET
- RS-varenummer:
- 787-9131
- Producentens varenummer:
- SI4090DY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 68,67
(ekskl. moms)
Kr. 85,84
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.475 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 13,734 | Kr. 68,67 |
| 50 - 120 | Kr. 13,45 | Kr. 67,25 |
| 125 - 245 | Kr. 10,142 | Kr. 50,71 |
| 250 - 495 | Kr. 8,378 | Kr. 41,89 |
| 500 + | Kr. 6,582 | Kr. 32,91 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 787-9131
- Producentens varenummer:
- SI4090DY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | ThunderFET | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 12mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 45.6nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 7.8W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5mm | |
| Højde | 1.5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie ThunderFET | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 12mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 45.6nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 7.8W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5mm | ||
Højde 1.5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, medium spænding/ThunderFET®, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 20 A 100 V Forbedring SOIC, ThunderFET
- Vishay Type N-Kanal 11.1 A 100 V Forbedring SOIC, ThunderFET
- Vishay Type N-Kanal 11.3 A 100 V Forbedring SC-70, ThunderFET
- Vishay Type N-Kanal 30 A 80 V Forbedring PowerPAK 1212, ThunderFET
- Vishay Type N-Kanal 120 A 100 V Forbedring JEDEC TO-220AB, ThunderFET
- Vishay Type N-Kanal 12.7 A 25 V Forbedring SOIC, Si4116DY
- Vishay Type N-Kanal 10.9 A 30 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 19 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET