Vishay N-Kanal, MOSFET, 20 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, ThunderFET

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 68,67

(ekskl. moms)

Kr. 85,84

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2.325 enhed(er) afsendes fra 21. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 13,734Kr. 68,67
50 - 120Kr. 13,45Kr. 67,25
125 - 245Kr. 10,142Kr. 50,71
250 - 495Kr. 8,378Kr. 41,89
500 +Kr. 6,582Kr. 32,91

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
787-9131
Producentens varenummer:
SI4090DY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

20A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

ThunderFET

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

12mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20V

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Effektafsættelse maks. Pd

7.8W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

45.6nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

4mm

Længde

5mm

Højde

1.5mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MOSFET, medium spænding/ThunderFET®, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.