Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 11.3 A 100 V Forbedring, 6 Ben, SC-70, ThunderFET Nej SIA416DJ-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 41,44

(ekskl. moms)

Kr. 51,80

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 26. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 180Kr. 2,072Kr. 41,44
200 - 480Kr. 1,702Kr. 34,04
500 - 980Kr. 1,579Kr. 31,58
1000 - 1980Kr. 1,541Kr. 30,82
2000 +Kr. 1,504Kr. 30,08

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
818-1441
Producentens varenummer:
SIA416DJ-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

11.3A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SC-70

Serie

ThunderFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

130mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

19W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

0.85V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

2.15 mm

Længde

2.15mm

Højde

0.75mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal MOSFET, medium spænding/ThunderFET®, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links