Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 11.3 A 100 V Forbedring, 6 Ben, SC-70, ThunderFET Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 5.574,00

(ekskl. moms)

Kr. 6.966,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 23. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 1,858Kr. 5.574,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
165-6297
Producentens varenummer:
SIA416DJ-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

11.3A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

ThunderFET

Emballagetype

SC-70

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

130mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

19W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.5nC

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

0.85V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

2.15 mm

Længde

2.15mm

Højde

0.75mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal MOSFET, medium spænding/ThunderFET®, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links