Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 31 A 40 V Forbedring, 7 Ben, SC-70, SIA Nej SIA4446DJ-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 279-9902
- Producentens varenummer:
- SIA4446DJ-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 47,65
(ekskl. moms)
Kr. 59,56
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 5.970 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 4,765 | Kr. 47,65 |
| 50 - 90 | Kr. 3,575 | Kr. 35,75 |
| 100 - 240 | Kr. 3,172 | Kr. 31,72 |
| 250 - 990 | Kr. 3,112 | Kr. 31,12 |
| 1000 + | Kr. 3,059 | Kr. 30,59 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 279-9902
- Producentens varenummer:
- SIA4446DJ-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 31A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SC-70 | |
| Serie | SIA | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.011Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | ±16 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 19.2W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 2.05mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 31A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SC-70 | ||
Serie SIA | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.011Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. ±16 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 19.2W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 2.05mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.
TrenchFET effekt MOSFET
Fuldt blyfri (Pb)-enhed
Meget lav RDS x Qg tal for fortjeneste
100 procent Rg og UIS testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 31 A 40 V Forbedring SC-70, SIA Nej SIA4446DJ-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 8.8 A 100 V Forbedring SC-70-6L, SIA Nej SIA112LDJ-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 9 A 20 V SIA SIA4265EDJ-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 9 A 30 V SIA Nej SIA4371EDJ-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 8.8 A 100 V Forbedring SC-70-6L, SIA Nej
- Vishay Type N-Kanal 11.3 A 100 V Forbedring SC-70, ThunderFET Nej SIA416DJ-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 12 A 12 V Forbedring SC-70, TrenchFET Nej SIA447DJ-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 30.3 A 30 V Forbedring SC-70, SiA471DJ Nej SiA471DJ-T1-GE3
