Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 31 A 40 V Forbedring, 7 Ben, SC-70, SIA
- RS-varenummer:
- 279-9902
- Producentens varenummer:
- SIA4446DJ-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 45,48
(ekskl. moms)
Kr. 56,85
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 5.930 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 4,548 | Kr. 45,48 |
| 50 - 90 | Kr. 3,418 | Kr. 34,18 |
| 100 - 240 | Kr. 3,037 | Kr. 30,37 |
| 250 - 990 | Kr. 2,977 | Kr. 29,77 |
| 1000 + | Kr. 2,925 | Kr. 29,25 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 279-9902
- Producentens varenummer:
- SIA4446DJ-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 31A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SC-70 | |
| Serie | SIA | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.011Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 19.2W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 2.05mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 31A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SC-70 | ||
Serie SIA | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.011Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 19.2W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 2.05mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.
TrenchFET effekt MOSFET
Fuldt blyfri (Pb)-enhed
Meget lav RDS x Qg tal for fortjeneste
100 procent Rg og UIS testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 31 A 40 V Forbedring SC-70, SIA
- Vishay Type N-Kanal 8.8 A 100 V Forbedring SC-70-6L, SIA
- Vishay Type P-Kanal 9 A 20 V SIA
- Vishay Type N-Kanal 11.3 A 100 V Forbedring SC-70, ThunderFET
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 12 A 60 V Forbedring SC-70-6L, TrenchFET
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 4.5 A 20 V Forbedring SC-70, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 30.3 A 30 V Forbedring SC-70, SiA471DJ
- Vishay Type P-Kanal 4 A 20 V Forbedring SC-70, Si1441EDH
