onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 115 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002L Nej 2N7002LT3G
- RS-varenummer:
- 791-6025
- Producentens varenummer:
- 2N7002LT3G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 200 enheder)*
Kr. 98,00
(ekskl. moms)
Kr. 122,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 16.400 enhed(er) afsendes fra 26. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 200 - 800 | Kr. 0,49 | Kr. 98,00 |
| 1000 - 1800 | Kr. 0,348 | Kr. 69,60 |
| 2000 + | Kr. 0,342 | Kr. 68,40 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 791-6025
- Producentens varenummer:
- 2N7002LT3G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 115mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | 2N7002L | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 160nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300mW | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.3 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 2.9mm | |
| Højde | 0.94mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 115mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie 2N7002L | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 160nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300mW | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.3 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 2.9mm | ||
Højde 0.94mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal Power MOSFET, 60 V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 115 mA 60 V Forbedring SOT-23, 2N7002L Nej
- onsemi Type N-Kanal 115 mA 60 V Forbedring SOT-23, 2N7002L Nej 2N7002LT1G
- onsemi Type N-Kanal 115 mA 60 V Forbedring SOT-23 AEC-Q200, AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 115 mA 60 V Forbedring SOT-23 AEC-Q200, AEC-Q101 2N7002
- 2N7002L SOT-23
- onsemi Type N-Kanal 280 mA 60 V Forbedring SOT-23, NDS7002A Nej
- onsemi Type P-Kanal 180 mA 60 V Forbedring SOT-23, NDS0605 Nej
- onsemi Type N-Kanal 500 mA 60 V Forbedring SOT-23, MMBF170L Nej
