STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 2,5 A 800 V, 8 ben, PowerFLAT 5 x 6, MDmesh K5, SuperMESH5 STL4N80K5
- RS-varenummer:
- 792-5903
- Producentens varenummer:
- STL4N80K5
- Brand:
- STMicroelectronics
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 792-5903
- Producentens varenummer:
- STL4N80K5
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 2,5 A | |
| Drain source spænding maks. | 800 V | |
| Kapslingstype | PowerFLAT 5 x 6 | |
| Serie | MDmesh K5, SuperMESH5 | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. | 2,5 Ω | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 5V | |
| Mindste tærskelspænding for port | 3V | |
| Effektafsættelse maks. | 38 W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -30 V, +30 V | |
| Bredde | 5.4mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Transistormateriale | Si | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 10,5 nC ved 10 V | |
| Længde | 6.35mm | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Højde | 0.95mm | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 2,5 A | ||
Drain source spænding maks. 800 V | ||
Kapslingstype PowerFLAT 5 x 6 | ||
Serie MDmesh K5, SuperMESH5 | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. 2,5 Ω | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 5V | ||
Mindste tærskelspænding for port 3V | ||
Effektafsættelse maks. 38 W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -30 V, +30 V | ||
Bredde 5.4mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Driftstemperatur maks. +150 °C | ||
Transistormateriale Si | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 10,5 nC ved 10 V | ||
Længde 6.35mm | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||
Højde 0.95mm | ||
N-kanal MDmesh™ K5 serien, SuperMESH5™, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 2 8 ben MDmesh K5, SuperMESH5 STL4N80K5
- STMicroelectronics N-Kanal 2 3 ben MDmesh K5, SuperMESH5 STP3N80K5
- STMicroelectronics N-Kanal 12 A 800 V TO-220 SuperMESH5 STP13N80K5
- STMicroelectronics N-Kanal 3 A 800 V TO-220FP SuperMESH5 STF4N80K5
- STMicroelectronics N-Kanal 14 A 800 V TO-220 SuperMESH5 STP15N80K5
- STMicroelectronics N-Kanal 14 A 800 V TO-247 SuperMESH5 STW15N80K5
- STMicroelectronics N-Kanal 2 A 800 V TO-220 SuperMESH5 STP2N80K5
- STMicroelectronics N-Kanal 3 A 800 V TO-220 SuperMESH5 STP4N80K5
