STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 5 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, DeepGate, STripFET
- RS-varenummer:
- 795-8868
- Producentens varenummer:
- STS5NF60L
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 53,71
(ekskl. moms)
Kr. 67,14
(inkl. moms)
Tilføj 100 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 15. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | Kr. 5,371 | Kr. 53,71 |
| 20 + | Kr. 5,101 | Kr. 51,01 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 795-8868
- Producentens varenummer:
- STS5NF60L
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | DeepGate, STripFET | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 55mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 5mm | |
| Højde | 1.65mm | |
| Bredde | 4 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie DeepGate, STripFET | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 55mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 5mm | ||
Højde 1.65mm | ||
Bredde 4 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ mosfet'er med et bredt område for gennemslagsspænding med ekstremt lav gate-opladning og lav aktiv modstand .
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5 A 60 V Forbedring SOIC
- STMicroelectronics 2 Type N-Kanal Isoleret 4 A 60 V Forbedring SOIC, STripFET
- STMicroelectronics N-kanal Type N-Kanal 160 A 60 V Forbedring PowerFLAT, STL160
- DiodesZetex Type N MOSFET 60 V Forbedring SOIC
- STMicroelectronics Type N-Kanal 6 A 20 V Forbedring SOIC, STripFET
- STMicroelectronics N-kanal Type N-Kanal 545 A 60 V Forbedring TO-LL, STripFET F7
- STMicroelectronics Type N-Kanal 60 A 60 V Forbedring TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics Type N-Kanal 60 A 60 V Forbedring TO-252, STripFET II