IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 64 A 500 V Forbedring, 3 Ben, TO-264 Nej IXFK64N50Q3

Se alle MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 133,68

(ekskl. moms)

Kr. 167,10

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 60 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 133,68

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
801-1424
Elfa Distrelec varenummer:
302-53-351
Producentens varenummer:
IXFK64N50Q3
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

64A

Drain source spænding maks. Vds

500V

Emballagetype

TO-264

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

85mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.4V

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

1kW

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

145nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

5.13 mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

26.16mm

Længde

19.96mm

Bilindustristandarder

Nej

Distrelec Product Id

30253351

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 serien


IXYS Q3-klassen af HiperFET™ effekt-MOSFET'er er velegnet til både hårde tilkoblings- og resonans-mode-anvendelser og giver lave portopladning med uovertruffen holdbarhed. Enhederne har en fast, egensikker diode og findes i en række branchestandardpakker, inklusive isolerede typer, med effekter på op til 1100 V og 70 A. Typiske anvendelser omfatter DC-DC-konvertere, batteriopladere, switch-mode- og resonans-mode-strømforsyninger, DC-snittere, temperatur- og lysstyring.

Hurtig, egensikker ensretterdiode

Lav RDS (til) og QG (portopladning)

Lav egensikker portmodstand

Huse i industristandard

Lav pakkeselvinduktion

Høj effekttæthed

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links