Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 1.4 A 600 V Forbedring, 3 Ben, IPAK, IRFU1N60A

RS-varenummer:: 812-0660
Producentens varenummer:: IRFU1N60APBF
Brand:: Vishay

Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 1.4 A 600 V Forbedring, 3 Ben, IPAK, IRFU1N60A

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 99,10

(ekskl. moms)

Kr. 123,90

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

Plus 470 enhed(er) afsendes fra 14. oktober 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
10 +	Kr. 9,91	Kr. 99,10

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 812-0660
Producentens varenummer:: IRFU1N60APBF
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	N
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	1.4A
	Drain source spænding maks. Vds	600V
	Emballagetype	IPAK
	Serie	IRFU1N60A
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	7Ω
	Kanalform	Forbedring
	Portkildespænding maks.	-30V, +30V
	Effektafsættelse maks. Pd	36W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	14nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	1.6V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Længde	6.73mm
	Højde	6.22mm
	Bredde	2.39mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype N
	Produkttype Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.4A
	Drain source spænding maks. Vds 600V
	Emballagetype IPAK
	Serie IRFU1N60A
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 7Ω
	Kanalform Forbedring
	Portkildespænding maks. -30V, +30V
	Effektafsættelse maks. Pd 36W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf 1.6V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Længde 6.73mm
	Højde 6.22mm
	Bredde 2.39mm
	Bilindustristandarder Nej

COO (Country of Origin):: MY

Vishay IRFU1N60A seriens Power MOSFET, 600 V drain source spænding, 1,4 A kontinuerlig drain strøm - IRFU1N60APBF

Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanals koblingstransistor, der er designet til montering med gennemgående huller i industriel elektronik. Den er beregnet til anvendelser, der kræver håndtering af høj drain-source-spænding og moderat kontinuerlig strøm, der fungerer over et bredt temperaturområde til krævende miljøer. Enheden er i overensstemmelse med RoHS og leveres i en IPak-pakke med gennemgående hul.

Egenskaber og fordele:

• 600 V drain-source-spænding til højspændingskontaktfunktion
• 1.4 A kontinuerlig afløbsstrøm, der understøtter moderate belastningsstrømme
• 7 Ω maks. Rds(on), der reducerer ledningstab ved lave strømme
• 36 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastningshåndtering
• 14 nC typisk gate-ladning, der muliggør effektiv gate-drive-adfærd
• Gate-source modstandsdygtig over for op til 30 V for robust styringsspændingsmargin

Anvendelser

• Velegnet til offline strømforsyninger, der kræver højspændingskontakter
• Anvendes til belysning af forkoblings- og lampekontrolkredsløb
• Ideel til gate-trin med motordrev i systemer med lavt strømforbrug
• Kan bruges til dæmper- eller klemmeafbryderfunktioner i konvertere
• Anvendes sammen med sensor- og målefrontender, der kræver høje Vds

Hvilke termiske ekstremer kan enheden tolerere under drift?

Den fungerer fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i industrielle og høje temperaturer.

Hvordan er transistoren monteret på kortet?

Den er beregnet til montering gennem hul i en IPak-pakke for sikker mekanisk fastholdelse.

Hvad er den typiske fremadgående spænding i ledningsscenarier?

Enheden udviser en fremadgående spænding på 1,6 V under de specificerede testbetingelser for body-diode-ledning.

Kræver porten særlige overvejelser på grund af opladning?

Med en typisk gate-ladning på 14 nC bør gate-drivere vælges for at give tilstrækkelig strøm til den tilsigtede skiftehastighed uden overdrevne drevtab.