Vishay P-Kanal, MOSFET, 3,9 A 8 V, 6 ben, TSOP-6 SI3499DV-T1-GE3

RS-varenummer:: 812-3173
Producentens varenummer:: SI3499DV-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay P-Kanal, MOSFET, 3,9 A 8 V, 6 ben, TSOP-6 SI3499DV-T1-GE3

Dette produkt er udgået

RS-varenummer:: 812-3173
Producentens varenummer:: SI3499DV-T1-GE3
Brand:: Vishay

Si3499DV, P-Channel 1.5V (G-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Kanaltype	P
Drain-strøm kontinuerlig maks.	3,9 A
Drain source spænding maks.	8 V
Kapslingstype	TSOP-6
Monteringstype	Overflademontering
Benantal	6
Drain source modstand maks.	48 mΩ
Kanalform	Enhancement
Mindste tærskelspænding for port	0.35V
Effektafsættelse maks.	1,1 W
Transistorkonfiguration	Enkelt
Gate source spænding maks.	-5 V, +5 V
Længde	3.1mm
Driftstemperatur maks.	+150 °C
Antal elementer per chip	1
Bredde	1.7mm
Transistormateriale	Si
Gate-ladning ved Vgs typisk	28 nC ved 4,5 V
Driftstemperatur min.	-55 °C
Højde	1mm

Vishay P-Kanal, MOSFET, 3,9 A 8 V, 6 ben, TSOP-6 SI3499DV-T1-GE3

P-kanal MOSFET, 8 V til 20 V, Vishay Semiconductor

Relaterede links